Le BS170 est un transistor à effet de champ à mode d'enrichissement canal N produit en utilisant exclusivement la technologie de cellule haute densité CMOS. Ce processus très haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant tout en offrant une performance de commutation robuste, fiable et rapide. Il est compatible avec la plupart des applications nécessitant jusqu'à 500mA DC. Il convient également pour les applications faible intensité et faible tension, comme les petites commandes de servomoteur, les pilotes de grille MOSFET de puissance et d'autres applications de commutation.
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